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GAA FET(ゲートオールアラウンドFET) とは?

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💡 電流の通り道を、ゲートで全周から囲んで制御する

電流が流れるチャネルを、ゲート構造が全周から囲む電界効果トランジスタ。FinFETよりチャネルを制御しやすくする構造で、ナノシート型などが先端の製造技術に採用されている。

📌 このページのポイント
ゲートがチャネルを囲む構造の比較 Planar FinFET GAA 上面 上面+両側 全周 GAAの例は積層ナノシートの断面 ゲート チャネル 絶縁層 基板等
構造の比較で、寸法・層の厚さは正確な比率ではない。電流は紙面の奥行き方向に流れる想定で、ソース・ドレインなどは省略。青と橙の間の薄い絶縁層を介してゲートがチャネルを制御する。nm世代との一対一の対応や実測性能は示さない。
ひよこ ひよこ
GAA FETは、FinFETと何が違うの?
ペンギン先生 ペンギン先生
FinFETはヒレのようなチャネルを上面と両側面から制御する。GAA FETはチャネルを全周から囲むゲート構造で制御するよ。ゲートがチャネルへ直接電気的につながるという意味ではなく、絶縁層を介した構造なんだ。
ひよこ ひよこ
全周を囲むと、何がいいの?
ペンギン先生 ペンギン先生
小さなチャネルでもゲートによる制御を強め、流したくないときの電流などを抑えることを目指せるよ。ただし、実際の電力や速さは寸法、材料、電圧、設計などにも左右される。GAAという構造だけで、スマホの電池持ちや電気代が一定の割合で改善するとは決まらないんだ。
ひよこ ひよこ
ナノシートとナノワイヤーはどう違うの?
ペンギン先生 ペンギン先生
チャネルの形が違うよ。ナノワイヤーは細い線状、ナノシートは薄い板状。シートを何段か積み、幅を変えて電流や面積などを調整する設計もある。図は積層ナノシートの断面を簡略化したものだよ。
ひよこ ひよこ
どのメーカーも、3nmからGAAに変わるの?
ペンギン先生 ペンギン先生
メーカーごとに違うよ。Samsungは2022年に3nmのGAA初期生産を発表した。一方、TSMCの3nm N3はFinFETで、ナノシートを使うN2は2025年第4四半期に量産を開始。Intelの18AはGAAのRibbonFETを使い、公式ページでは量産中とされている。nmという製造技術名と構造を一対一にはできないんだ。
ひよこ ひよこ
製造は簡単?次の構造も決まっているの?
ペンギン先生 ペンギン先生
積層した材料からチャネルを分離したり、絶縁構造を作ったりする工程が必要で、難しさがあるよ。ただし、FinFETの工程を再利用できる部分もある。次の候補として、n型とp型を上下に積むCFETなどが研究されているけれど、GAAの次が一律に決まったり、面積が必ず半分になると確定したりしたわけではないんだ。
ペンギン
まとめ:ざっくりこれだけ覚えればOK!
「GAA FET」って出てきたら「チャネルを全周から囲むゲートを持つトランジスタ」と思えばだいたいOK!
📖 おまけ:英語の意味
「Gate-All-Around Field-Effect Transistor」 = 全周囲ゲートの電界効果トランジスタ
💬 Gateは電流を制御するゲート、All Aroundは全周囲。チャネルの全周をゲートが囲むという構造を表す名前だよ。

参考資料

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