【いーゆーぶい】
EUV(極端紫外線リソグラフィ) とは?
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💡 短い波長の光で、微細な回路パターンを転写
波長13.5nmの極端紫外線を使い、半導体ウェハー上の感光材料に微細な回路パターンを転写する露光技術。先端半導体の製造では、必要な層に応じてDUV露光などと組み合わせて使う。
📌 このページのポイント
- 波長13.5nmの光を使う。ArFの193nmより短く、微細なパターンの転写に役立つ
- EUVは空気や多くの材料に吸収されるため、真空と反射光学系を使う
- ASMLが供給するEUV装置は、光源や光学系など多くの技術を組み合わせている
- NA 0.55のHigh-NA EUVは、NA 0.33のEUVより細かいパターンを転写できる
EUVは、今までの露光と何が違うの?
使う光の波長が短いんだ。ArFのDUV露光は193nm、EUVは13.5nmの光を使う。マスクのパターンをウェハー上の感光材料へ転写するとき、短い波長は微細化に役立つよ。ただし描ける細かさは、波長だけでなく光学系や加工条件でも決まるんだ。
波長より細い線は描けないの?
こんな短い波長の光は、どうやって扱うの?
先端半導体なら、全部の層をEUVで作るの?
いいえ。特に微細なパターンが必要な層にはEUVを使い、ほかの層にはDUVを使うなど、組み合わせて製造するよ。EUVが登場したからDUVが不要になったわけではない。露光技術の選択は、必要なパターンや工程などに応じて変わるんだ。
High-NA EUVは何が進んだの?
まとめ:ざっくりこれだけ覚えればOK!
「EUV」って出てきたら「とても短い波長の光で、半導体の微細な回路パターンを転写する技術」と思えばだいたいOK!
📖 おまけ:英語の意味
「Extreme Ultraviolet Lithography」 = 極端紫外線リソグラフィ
💬 Extreme Ultravioletは極端紫外線、Lithographyはパターンを転写するリソグラフィのこと。この用語では、極端紫外線を使う半導体の露光技術を指すよ。